型号: FQD2N60C-VB
丝印: VBE165R02
品牌: VBsemi
参数:
- N沟道
- 额定电压：650V
- 最大电流：2A
- 开通电阻：4300mΩ @ 10V, 3440mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 阈值电压：2V (Vth)
- 封装：TO252

应用简介:
FQD2N60C-VB是一款高压N沟道MOSFET器件，适用于多种高电压应用。这款器件可以在以下应用模块中发挥作用：

1. 电源开关模块: FQD2N60C-VB可用于高压电源开关、开关稳压器、逆变器等，以提供高效的电源管理和电源转换。

2. 照明驱动模块: 适用于高压LED驱动和照明系统，以实现高效的LED亮度控制和照明管理。

3. 高压开关模块: 用于高电压开关应用，如电磁继电器和高压开关电路。

4. 电源逆变器: 在太阳能逆变器和电动汽车充电器等高压逆变器中发挥作用。

FQD2N60C-VB由于其高电压承受能力，适用于需要高电压开关、电源管理和电源转换的领域，为系统提供高性能和高效能的电源解决方案。