**FDD10N20LZTM-VB**

- **丝印：** VBE1203M
- **品牌：** VBsemi
- **参数：**
- 封装：TO252
- 沟道类型：N—Channel
- 最大沟道电压（VDS）：200V
- 最大漏极电流（ID）：10A
- 静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：245mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压（Vth）：3.06V

**详细参数说明：**
FDD10N20LZTM-VB 是一款N—Channel MOSFET，封装为TO252，具有最大200V的沟道电压和10A的最大漏极电流。其静态漏极-源极电阻为245mΩ，阈值电压为3.06V。

**应用简介：**
FDD10N20LZTM-VB广泛应用于功率电子应用，包括电源开关、电源逆变器和电机驱动器等。

**领域模块应用：**
1. **电源开关模块：** 在电源开关模块中，FDD10N20LZTM-VB可用于实现高效能耗的电源开关，提供可靠的电源控制。
2. **电源逆变器：** 作为电源逆变器的一部分，该器件能够控制逆变电路，将直流电源转换为交流电源，适用于各种功率电源系统。
3. **电机驱动：** 在电机驱动器中，FDD10N20LZTM-VB可用于电机的高效驱动和控制，适用于工业自动化和电动汽车等领域。

**作用：**
- 提供可靠的功率电源开关和控制。
- 控制电源逆变器，将直流电源转换为交流电源。
- 在电机驱动中用于电机的高效驱动和控制。

**使用注意事项：**
1. 遵循数据手册中的最大额定值，以确保在规定条件下使用。
2. 注意散热，确保器件工作在安全的温度范围内。
3. 在设计中考虑阈值电压，以确保在正确的电压条件下工作。
4. 确保正确的封装和引脚连接，以避免引起电路连接问题。