型号：2SK3147S-VB
丝印：VBE1101M
品牌：VBsemi

参数说明：
- N沟道
- 额定电压：100V
- 最大电流：18A
- 静态导通电阻(RDS(ON))：115mΩ@10V, 121mΩ@4.5V, 20Vgs(±V)
- 阈值电压(Vth)：1.6V
- 封装类型：TO252

应用简介：
2SK3147S-VB是一种N沟道MOSFET晶体管，具有高电压容忍度和适度的电流处理能力，适用于各种电子设备和应用领域。以下是一些可能的应用领域：

1. 电源模块：2SK3147S-VB可用于电源模块，以支持高压和高电流的应用，适用于电源开关、DC-DC变换器和逆变器设计。

2. 电机控制：该MOSFET适合用于电机控制电路，可用于工业自动化、电动工具和电机驱动应用。

3. 高压DC-DC转换器：在高压DC-DC转换器中，这款MOSFET可用于电压升降和功率转换，适用于医疗设备、通信基站和军事应用。

4. 汽车电子：在汽车电子领域，它可以用于电动汽车、混合动力车辆和其他汽车电子系统的控制和管理。

5. 工业控制：2SK3147S-VB适合用于工业控制应用，如PLC、传感器控制和工厂自动化。

6. 照明系统：可用于LED照明系统，以支持高亮度、高效能的照明解决方案。

总之，2SK3147S-VB是一种多功能的高压N沟道MOSFET晶体管，适用于多种高电压和高电流应用，以提供卓越的性能和可靠性。