VBsemi作為專注於半導體裝置研發的領先廠家,致力於為便攜式儲能應用提供高效能、高可靠性的解決方案。 我們深知便攜式儲能在現代生活中的重要性,不論是行動通訊設備、便攜式醫療設備或戶外運動器材,都離不開高效能安全的儲能方案。 因此,我們推出了一系列適用於各種便攜式儲能設備的方案,以滿足不同場景下的需求。
我們的便攜式儲能方案基於先進的MOSFET技術,具有高效能、低功耗、高穩定性的特點,能夠確保設備長時間穩定運作。 此外,我們的方案還結合了先進的電池管理技術和智慧控制演算法,實現了對電池充放電過程的精確控制,並確保電池的安全性和穩定性,延長電池壽命。
MOSFET介紹
在我們的便攜式儲能方案中,MOSFET扮演關鍵角色。 MOSFET(金屬氧化物半導體場效電晶體)是一種常用的功率開關元件,透過控制其通斷狀態來實現對電路的開關控制。 在便攜式儲能設備中,MOSFET被廣泛應用於充放電控制、電源管理、電池保護等關鍵環節。
VBsemi的MOSFET產品具有低導通電阻、高開關速度、低閘電壓、高溫性能穩定等優點。 我們的MOSFET產品涵蓋了各種封裝和功率級別,可滿足不同便攜式儲能設備的需求。 無論是手機、平板電腦、無人機或可攜式醫療設備,我們都能提供高效能、高可靠性的MOSFET產品,為設備的穩定運作提供強大的支援。
Part Number | Package | Configuration | Vds V | Vgs V | Vth(v)typ | IdA |
Rds(on) 10V(mΩ) |
Rds(on) 4.5V(mΩ) |
Rds(on) 2.5V(mΩ) |
Rds(on) 1.8V(mΩ) |
Qg(nC) | Pd25℃W |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
VBQA1401
![]() |
DFN8(5X6) | Single-N | 40V | 20(±V) | 3V | 100A | 1 (mΩ) | 1 (mΩ) | ||||
VBQA1402
![]() |
DFN8(5X6) | Single-N | 40V | 20(±V) | 3V | 120A | 2 (mΩ) | |||||
VBQA1405
![]() |
DFN8(5X6) | Single-N | 40V | 20(±V) | 2.5V | 70A | 5 (mΩ) | 6 (mΩ) | ||||
VBGQA1401
![]() |
DFN8(5X6) | Single-N | 40V | 20(±V) | 3V | 150A | 1.09(mΩ) | 1.5(mΩ) | ||||
VBGQA1402
![]() |
DFN8(5X6) | Single-N | 40V | 20(±V) | 3V | 90A | 2.2(mΩ) | 3.3(mΩ) | ||||
VBGQA1403
![]() |
DFN8(5X6) | Single-N | 40V | 20(±V) | 3V | 85A | 3(mΩ) | 4(mΩ) | ||||
VBGQA1602
![]() |
DFN8(5X6) | Single-N | 60V | 20(±V) | 3V | 180A | 1.7(mΩ) | 2(mΩ) | 3(mΩ) | |||
VBGQA1603
![]() |
DFN8(5X6) | Single-N | 60V | 20(±V) | 3V | 90A | 2.8(mΩ) | 3.5(mΩ) |
Part Number | Package | Configuration | VCE V | VGE V | VGEth | ICE | VCEsat15V | Technology |
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VBM16I20S
![]() |
TO220 | IGBT+FRD | 600/650 | ±20 | 5 | 20 | 1.7 | SJ |
VBM16I15
![]() |
TO220 | IGBT+FRD | 600/650 | ±30 | 5 | 15 | 1.7 | FS |
VBE16I15
![]() |
TO252 | IGBT+FRD | 600/650 | ±30 | 5 | 15 | 1.7 | FS |
VBL16I15
![]() |
TO263 | IGBT+FRD | 600/650 | ±30 | 5 | 15 | 1.7 | FS |
VBMB16I15
![]() |
TO220F | IGBT+FRD | 600/650 | ±30 | 5 | 15 | 1.7 | FS |
VBPB16I15
![]() |
TO3P | IGBT+FRD | 600/650 | ±30 | 5 | 15 | 1.7 | FS |
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