可擕式儲能應用方案

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可擕式儲能應用方案

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VBsemi作為專注於半導體裝置研發的領先廠家,致力於為便攜式儲能應用提供高效能、高可靠性的解決方案。 我們深知便攜式儲能在現代生活中的重要性,不論是行動通訊設備、便攜式醫療設備或戶外運動器材,都離不開高效能安全的儲能方案。 因此,我們推出了一系列適用於各種便攜式儲能設備的方案,以滿足不同場景下的需求。


我們的便攜式儲能方案基於先進的MOSFET技術,具有高效能、低功耗、高穩定性的特點,能夠確保設備長時間穩定運作。 此外,我們的方案還結合了先進的電池管理技術和智慧控制演算法,實現了對電池充放電過程的精確控制,並確保電池的安全性和穩定性,延長電池壽命。

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MOSFET介紹


在我們的便攜式儲能方案中,MOSFET扮演關鍵角色。 MOSFET(金屬氧化物半導體場效電晶體)是一種常用的功率開關元件,透過控制其通斷狀態來實現對電路的開關控制。 在便攜式儲能設備中,MOSFET被廣泛應用於充放電控制、電源管理、電池保護等關鍵環節。


VBsemi的MOSFET產品具有低導通電阻、高開關速度、低閘電壓、高溫性能穩定等優點。 我們的MOSFET產品涵蓋了各種封裝和功率級別,可滿足不同便攜式儲能設備的需求。 無論是手機、平板電腦、無人機或可攜式醫療設備,我們都能提供高效能、高可靠性的MOSFET產品,為設備的穩定運作提供強大的支援。

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MOSFET型号推荐

Part Number Package Configuration Vds V Vgs V Vth(v)typ IdA Rds(on)
10V(mΩ)
Rds(on)
4.5V(mΩ)
Rds(on)
2.5V(mΩ)
Rds(on)
1.8V(mΩ)
Qg(nC) Pd25℃W
VBQA1401 DFN8(5X6) Single-N 40V 20(±V) 3V 100A 1 (mΩ) 1 (mΩ)
VBQA1402 DFN8(5X6) Single-N 40V 20(±V) 3V 120A 2 (mΩ)
VBQA1405 DFN8(5X6) Single-N 40V 20(±V) 2.5V 70A 5 (mΩ) 6 (mΩ)
VBGQA1401 DFN8(5X6) Single-N 40V 20(±V) 3V 150A 1.09(mΩ) 1.5(mΩ)
VBGQA1402 DFN8(5X6) Single-N 40V 20(±V) 3V 90A 2.2(mΩ) 3.3(mΩ)
VBGQA1403 DFN8(5X6) Single-N 40V 20(±V) 3V 85A 3(mΩ) 4(mΩ)
VBGQA1602 DFN8(5X6) Single-N 60V 20(±V) 3V 180A 1.7(mΩ) 2(mΩ) 3(mΩ)
VBGQA1603 DFN8(5X6) Single-N 60V 20(±V) 3V 90A 2.8(mΩ) 3.5(mΩ)

IGBT型号推荐

Part Number Package Configuration VCE V VGE V VGEth ICE VCEsat15V Technology
VBM16I20S TO220 IGBT+FRD 600/650 ±20 5 20 1.7 SJ
VBM16I15 TO220 IGBT+FRD 600/650 ±30 5 15 1.7 FS
VBE16I15 TO252 IGBT+FRD 600/650 ±30 5 15 1.7 FS
VBL16I15 TO263 IGBT+FRD 600/650 ±30 5 15 1.7 FS
VBMB16I15 TO220F IGBT+FRD 600/650 ±30 5 15 1.7 FS
VBPB16I15 TO3P IGBT+FRD 600/650 ±30 5 15 1.7 FS

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