充電樁應用方案

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充電樁應用方案

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隨著電動車市場的快速成長,充電樁成為了支撐電動車充電需求的關鍵設備之一。 VBsemi身為領先的MOSFET廠商,致力於為充電樁產業提供高性能、高效能的MOSFET產品和解決方案。 以下是我們針對充電樁應用的簡介和相關MOSFET解決方案:


MOSFET在充電樁的應用介紹


MOSFET(金屬氧化物半導體場效電晶體)在充電樁中扮演重要角色,主要用於功率開關、電源控制和電流調節等方面。 我們的MOSFET產品具有以下特點:


- **高效率**:採用先進的MOSFET技術,具有低導通電阻和快速開關特性,能夠實現高效率的功率轉換和能量傳輸。


- **穩定性**:優良的溫度特性和穩定性,能夠在不同環境條件下保持穩定的性能,確保充電樁的安全運作。


- **耐壓性**:具有高耐壓能力和抗擊穿能力,能夠承受高壓和突變電壓,確保充電樁在各種電壓情況下的可靠性。


  充電樁應用方案概述


1. **直流快充充電樁**


    我們的MOSFET產品可應用於直流快充充電樁,實現電動車的快速充電。 透過我們高效穩定的MOSFET,可以實現充電效率的最大化,同時確保充電過程中的安全性和穩定性。


2. **交流智慧充電樁**


    對於交流電智慧充電樁,我們的MOSFET產品可應用於功率開關和控制電路,實現對電流和電壓的精確調節,確保充電過程的高效穩定和安全可靠。


3. **充電樁電源模組**


    我們提供客製化的充電樁電源模組,整合了高性能的MOSFET和控制電路,能夠滿足不同功率和電壓需求的充電樁應用,為客戶提供一站式解決方案。


身為MOSFET領域的領先廠家,VBsemi致力於為充電樁產業提供高性能、高效能的MOSFET產品和解決方案。 我們的MOSFET產品在充電樁中發揮關鍵作用,為電動車的充電提供了可靠保障,推動了電動車產業的持續發展。

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MOSFET型号推荐

Part Number Package Configuration Vds V Vgs V Vth(v)typ IdA Rds(on)
10V(mΩ)
Rds(on)
4.5V(mΩ)
Rds(on)
2.5V(mΩ)
Rds(on)
1.8V(mΩ)
Qg(nC) Pd25℃W
VBMB16R32S TO220F Single-N 600V 30(±V) 3.5V 32A 85(mΩ)
VBP16R32S TO247 Single-N 600V 30(±V) 3.5V 32A 85(mΩ)
VBP16R47S TO247 Single-N 600V 30(±V) 3.5V 47A 60(mΩ)
VBP16R67S TO247 Single-N 600V 30(±V) 3.5V 67A 34(mΩ)
VBP16R87SFD TO247 Single-N 600V 30(±V) 3.5V 87A 26(mΩ)
VBP16R90S TO247 Single-N 600V 30(±V) 3.5V 90A 24(mΩ)
VBM16R32S TO220 Single-N 600V 30(±V) 3.5V 32A 85(mΩ)
VBM16R43S TO220 Single-N 600V 30(±V) 3.5V 43A 60(mΩ)

IGBT型号推荐

Part Number Package Configuration VCE V VGE V VGEth ICE VCEsat15V Technology
VBP16I80 TO247 IGBT+FRD 600/650 ±30V 5 80A 1.7 FS
VBP165I80 TO247 IGBT+FRD 600/650 ±30V 5 80A 1.7 FS
VBP16I75S TO247 IGBT+FRD 600/650 ±20V 5 75A 1.5 SJ
VBP16I40 TO247 IGBT+FRD 600/650 ±30V 5 40A 1.7 FS

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