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SiC MOSFET

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MOSFET IGBT SiC MOSFET
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VB Package
  • TO247
  • TO247-4L
  • TO263-7L
重置
Configuration
  • Single N
  • Single-N
重置
Polarity
重置
VDS(V)
  • 1200V
  • 1700V
  • 650V
重置
VGS(±V)
  • -10 / +22
  • -4 / +22
重置
Vthty p(V)
  • 2~4
  • 2~5
重置
RDS(on)
18Vty(mΩ)
  • 21
  • 22
  • 30
  • 32
  • 36
  • 40
  • 58
  • 80
  • 1500
重置
ID(A)
  • 100A
  • 26A
  • 30A
  • 50A
  • 60A
  • 63A
  • 6A
  • 70A
  • 93A
重置
Technology
  • SiC
  • SiC-S
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Part Number
 Package
 Configuration
 Polarity
 Vds V
 Vgs V
 Vth(v)typ
 IdA
 Rds(on)
18V(mΩ)
 Technology
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