VBsemi作为领先的MOSFET制造商,致力于为通讯行业提供高性能、高稳定性的电源解决方案。在现代通讯系统中,稳定可靠的电源是确保设备高效运行的关键。为满足通讯设备对电源的高要求,VBsemi推出了一系列针对通讯电源应用的解决方案,结合先进的MOSFET技术,实现了功率转换效率的提升、损耗的降低以及系统稳定性的增强。
**VBsemi MOSFET在通讯电源应用中的优势:**
1. **高效能转换:** VBsemi的MOSFET产品采用先进的制造工艺和材料,具有优异的导通特性和低导通电阻,能够实现高效能的功率转换,将输入电能有效地转换为所需的输出电能。
2. **低损耗设计:** VBsemi的MOSFET产品具有优化的通道设计和低开关损耗,能够降低能量损耗,提高系统的能效,延长设备的使用时间。
3. **高温稳定性:** VBsemi的MOSFET产品具有优异的温度特性和稳定性,能够在高温环境下保持稳定的性能,确保通讯设备在各种工作条件下的可靠运行。
4. **快速开关速度:** VBsemi的MOSFET产品具有快速的开关速度和优异的动态特性,能够实现快速响应和高频率操作,保证通讯系统的信号传输速度和稳定性。
5. **多种封装选项:** VBsemi提供多种封装选项,包括SMD封装和TO封装,以满足不同应用场景下的尺寸和安装需求。
通过以上特点,VBsemi的MOSFET产品能够为通讯电源应用提供稳定可靠的电源支持,帮助通讯设备实现高效能、高稳定性的电源转换,为通讯行业的发展提供强大支持。
Part Number | Package | Configuration | Vds V | Vgs V | Vth(v)typ | IdA |
Rds(on) 10V(mΩ) |
Rds(on) 4.5V(mΩ) |
Rds(on) 2.5V(mΩ) |
Rds(on) 1.8V(mΩ) |
Qg(nC) | Pd25℃W |
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VBP165R36S
![]() |
TO247 | Single-N | 650V | 30(±V) | 3.5V | 36A | 75(mΩ) | |||||
VBP165R47S
![]() |
TO247 | Single-N | 650V | 30(±V) | 3.5V | 47A | 75 (mΩ) | |||||
VBPB165R47S
![]() |
TO3P | Single-N | 650V | 30(±V) | 3.5V | 47A | 75 (mΩ) | |||||
VBMB165R32SE
![]() |
TO220F | Single-N | 650V | 30(±V) | 3.5V | 32A | 89(mΩ) | |||||
VBMB165R36S
![]() |
TO220F | Single-N | 650V | 30(±V) | 3.5V | 36A | 75(mΩ) | |||||
VBM165R32SE
![]() |
TO220 | Single-N | 650V | 30(±V) | 3.5V | 32A | 89(mΩ) | |||||
VBM165R36S
![]() |
TO220 | Single-N | 650V | 30(±V) | 3.5V | 36A | 75(mΩ) | |||||
VBL165R36S
![]() |
TO263 | Single-N | 650V | 30(±V) | 3.5V | 36A | 75(mΩ) |
Part Number | Package | Configuration | VCE V | VGE V | VGEth | ICE | VCEsat15V | Technology |
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