充电桩应用方案

您现在的位置 > 首页 > 充电桩应用方案

充电桩应用方案

1716774536357291.png

随着电动汽车市场的快速增长,充电桩成为了支撑电动汽车充电需求的关键设备之一。VBsemi作为一家领先的MOSFET厂家,致力于为充电桩行业提供高性能、高效能的MOSFET产品和解决方案。以下是我们针对充电桩应用的简介和相关MOSFET解决方案:

MOSFET在充电桩中的应用介绍

MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)在充电桩中扮演着重要角色,主要用于功率开关、电源控制和电流调节等方面。我们的MOSFET产品具有以下特点:


- **高效性**:采用先进的MOSFET技术,具有低导通电阻和快速开关特性,能够实现高效率的功率转换和能量传输。


- **稳定性**:优秀的温度特性和稳定性,能够在不同环境条件下保持稳定的性能,确保充电桩的安全运行。


- **耐压能力**:具有高耐压能力和抗击穿能力,能够承受高压和突变电压,确保充电桩在各种电压情况下的可靠性。


 充电桩应用方案概述


1. **直流快充充电桩**


   我们的MOSFET产品可应用于直流快充充电桩,实现对电动汽车的快速充电。通过我们高效稳定的MOSFET,可以实现充电效率的最大化,同时保证充电过程中的安全性和稳定性。


2. **交流智能充电桩**


   对于交流智能充电桩,我们的MOSFET产品可应用于功率开关和控制电路,实现对电流和电压的精确调节,确保充电过程的高效稳定和安全可靠。


3. **充电桩电源模块**


   我们提供定制化的充电桩电源模块,集成了高性能的MOSFET和控制电路,能够满足不同功率和电压要求的充电桩应用,为客户提供一站式解决方案。


作为MOSFET领域的领先厂家,VBsemi致力于为充电桩行业提供高性能、高效能的MOSFET产品和解决方案。我们的MOSFET产品在充电桩中发挥着关键作用,为电动汽车的充电提供了可靠保障,推动了电动汽车行业的持续发展。

1716773487577672.png

MOSFET型号推荐

Part Number Package Configuration Vds V Vgs V Vth(v)typ IdA Rds(on)
10V(mΩ)
Rds(on)
4.5V(mΩ)
Rds(on)
2.5V(mΩ)
Rds(on)
1.8V(mΩ)
Qg(nC) Pd25℃W
VBP16R32S TO247 Single-N 600V 30(±V) 3.5V 32A 85(mΩ)
VBP16R47S TO247 Single-N 600V 30(±V) 3.5V 47A 60(mΩ)
VBP16R67S TO247 Single-N 600V 30(±V) 3.5V 67A 34(mΩ)
VBP16R87SFD TO247 Single-N 600V 30(±V) 3.5V 87A 26(mΩ)
VBP16R90SE TO247 Single-N 600V 30(±V) 3.5V 90A 18(mΩ)
VBMB16R32S TO220F Single-N 600V 30(±V) 3.5V 32A 85(mΩ)
VBM16R32S TO220 Single-N 600V 30(±V) 3.5V 32A 85(mΩ)
VBM16R43S TO220 Single-N 600V 30(±V) 3.5V 43A 60(mΩ)

IGBT型号推荐

Part Number Package Configuration VCE V VGE V VGEth ICE VCEsat15V Technology
VBP165I80 TO247 IGBT+FRD 600/650 ±30V 5 80A 1.7 FS
VBP16I75S TO247 IGBT+FRD 600/650 ±20V 5 75A 1.5 SJ

打样申请

在线咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
在线咨询
电话咨询
微信咨询