便携式储能应用方案

应用领域

VBsemi作为一家专注于半导体器件研发的领先厂家，致力于为便携式储能应用提供高性能、高可靠性的解决方案。我们深知便携式储能在现代生活中的重要性，不论是移动通信设备、便携式医疗设备还是户外运动器材，都离不开高效、安全的储能方案。因此，我们推出了一系列适用于各种便携式储能设备的方案，以满足不同场景下的需求。

我们的便携式储能方案基于先进的MOSFET技术，具有高效能、低功耗、高稳定性的特点，能够确保设备长时间稳定运行。此外，我们的方案还结合了先进的电池管理技术和智能控制算法，实现了对电池充放电过程的精准控制，保障电池的安全性和稳定性，延长电池寿命。

MOSFET介绍

在我们的便携式储能方案中，MOSFET起着关键作用。MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种常用的功率开关器件，通过控制其通断状态来实现对电路的开关控制。在便携式储能设备中，MOSFET被广泛应用于充放电控制、电源管理、电池保护等关键环节。

VBsemi的MOSFET产品具有低导通电阻、高开关速度、低门电压、高温性能稳定等优点。我们的MOSFET产品覆盖了各种封装和功率级别，可以满足不同便携式储能设备的需求。无论是手机、平板电脑、无人机还是便携式医疗设备，我们都能提供高性能、高可靠性的MOSFET产品，为设备的稳定运行提供强有力的支持。

MOSFET型号推荐

Part Number	Package	Configuration	Vds V	Vgs V	Vth(v)typ	IdA	Rds(on) 10V(mΩ)	Rds(on) 4.5V(mΩ)
VBQA1401	DFN8(5X6)	Single-N	40V	20（±V）	3V	100A	1 (mΩ)	1 (mΩ)
VBQA1402	DFN8(5X6)	Single-N	40V	20（±V）	3V	120A	2 (mΩ)
VBQA1405	DFN8(5X6)	Single-N	40V	20（±V）	2.5V	70A	5 (mΩ)	6 (mΩ)
VBGQA1101N	DFN8(5X6)	Single-N	100V	20（±V）	2.5V	55A	9.5(mΩ)	11.5(mΩ)
VBGQA1401	DFN8(5X6)	Single-N	40V	20（±V）	3V	150A	1.09(mΩ)	1.5(mΩ)
VBGQA1402	DFN8(5X6)	Single-N	40V	20（±V）	3V	90A	2.2(mΩ)	3.3(mΩ)
VBGQA1403	DFN8(5X6)	Single-N	40V	20（±V）	3V	85A	3(mΩ)	4(mΩ)
VBGE1101N	TO252	Single-N	100V	20（±V）	1.8V	55A	11.5(mΩ)	14.5(mΩ)

IGBT型号推荐

Part Number	Package	Configuration	VCE V	VGE V	VGEth	ICE	VCEsat15V	Technology
VBM16I30S	TO220	IGBT+FRD	600/650	±20V	5	30A	1.65	SJ
VBMB16I25S	TO220F	IGBT+FRD	600/650	±20V	5	25A	1.9	SJ
VBM16I25S	TO220	IGBT+FRD	600/650	±20V	5	25A	1.9	SJ
VBP16I25S	TO247	IGBT+FRD	600/650	±20	5	25	1.9	SJ
VBM16I20S	TO220	IGBT+FRD	600/650	±20	5	20	1.7	SJ
VBM16I15	TO220	IGBT+FRD	600/650	±30	5	15	1.7	FS