VBsemi(MOSFET厂家)充电器应用方案简介:
VBsemi致力于提供高效可靠的充电器应用解决方案,以满足现代电子设备的需求。我们的充电器方案结合了先进的技术和可靠的组件,为用户提供快速、安全和便捷的充电体验。
我们的充电器方案采用了最新的MOSFET技术,确保充电器在高效率下运行,同时保持稳定性和可靠性。我们的MOSFET产品具有低导通电阻、高开关速度和优异的热特性,可以实现充电器的高效能耗和稳定性,确保充电器长时间运行。
VBsemi的MOSFET产品还具有高耐压和低功耗的特点,适用于各种充电器应用场景,包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑等。我们的产品提供了多种封装和规格选择,以满足不同充电器设计的需求,同时提供了可靠的质量和性能保证。
通过VBsemi的充电器应用方案,用户可以享受到更快速、更安全、更便捷的充电体验,使其电子设备始终保持高效运行。
关于MOSFET的介绍:
MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种常用于电子设备中的关键组件,用于控制电流的流动。在充电器应用中,MOSFET起着关键作用,用于实现充电器的功率开关和电流控制。
VBsemi的MOSFET产品采用了先进的技术和材料,具有低导通电阻、高耐压、高开关速度和优异的热特性。这些特点使得我们的MOSFET产品在充电器中能够实现高效率的功率转换,并且能够保持稳定的性能和可靠性。
VBsemi的MOSFET产品提供了多种封装和规格选择,以满足不同充电器设计的需求。无论是快速充电还是智能充电,我们的产品都能够提供可靠的解决方案,确保充电器的高效、安全和稳定运行。
Part Number | Package | Configuration | Vds V | Vgs V | Vth(v)typ | IdA |
Rds(on) 10V(mΩ) |
Rds(on) 4.5V(mΩ) |
Rds(on) 2.5V(mΩ) |
Rds(on) 1.8V(mΩ) |
Qg(nC) | Pd25℃W |
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VBQA165R05S | DFN8(5X6) | Single-N | 650V | 30(±V) | 3.5V | 5A | 1000(mΩ) | |||||
VBMB165R05SE | TO220F | Single-N | 650V | 30(±V) | 3.5V | 5A | 750(mΩ) | |||||
VBM165R05SE | TO220 | Single-N | 650V | 30(±V) | 3.5V | 5A | 780(mΩ) | |||||
VBM165R07S | TO220 | Single-N | 650V | 30(±V) | 3.5V | 7A | 700 (mΩ) | |||||
VBL165R07S | TO263 | Single-N | 650V | 30(±V) | 3.5V | 7A | 700 (mΩ) | |||||
VBFB165R05SE | TO251 | Single-N | 650V | 30(±V) | 3.5V | 5A | 750(mΩ) | |||||
VBE165R05SE | TO252 | Single-N | 650V | 30(±V) | 3.5V | 5A | 750(mΩ) | |||||
VBE165R07SE | TO252 | Single-N | 650V | 30(±V) | 3.5V | 7A | 600(mΩ) |
Part Number | Package | Configuration | VCE V | VGE V | VGEth | ICE | VCEsat15V | Technology |
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