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VBP175R04 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBP175R04是VBsemi公司生产的单N沟道场效应晶体管(MOSFET),采用Plannar技术。该器件具有750V的漏源电压(VDS),30V的门源电压(VGS),门源电压阈值为3.2V。在10V门源电压下的导通电阻(RDS(on))为2700mΩ,最大导通电流(ID)为4A。该产品封装形式为TO247。

VBP175R04适用于工业电源、太阳能发电、电动汽车充电桩和工业自动化控制等领域,具有广泛的应用前景。

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产品参数:

详细参数说明:
- 产品型号:VBP175R04
- 品牌:VBsemi
- 类型:单N沟道场效应晶体管(MOSFET)
- 技术:Plannar
- 漏源电压(VDS):750V
- 门源电压(VGS):30V
- 门源电压阈值(Vth):3.2V
- 门源电压为10V时的导通电阻(RDS(on)):2700mΩ
- 最大导通电流(ID):4A
- 封装:TO247

领域和模块应用:

适用领域和模块示例:
1. 工业电源模块:VBP175R04适用于工业电源模块中的开关电源和逆变器模块,用于工厂设备、通信基站等领域的稳定供电。
2. 太阳能逆变器:适用于太阳能逆变器中的功率开关模块,将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电,用于太阳能发电系统中。
3. 电动汽车充电桩:在电动汽车充电桩中,该MOSFET可以用于电源控制模块,实现对电动汽车的安全充电和管理。
4. 工业自动化控制:在工业自动化和控制系统中,VBP175R04可以用作开关器件,实现对各种设备和机械的精确控制和调节。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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