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VBM165R04SE 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBsemi的VBM165R04SE是一款单N沟道场效应晶体管(Single N)产品。其主要特点包括650V的漏极-源极电压(VDS),30V的门-源电压(VGS),3.5V的阈值电压(Vth),以及4A的漏极电流(ID)。采用SJ_Deep-Trench技术,封装为TO220。

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产品参数:


详细参数说明:
- 漏极-源极电压(VDS):650V
- 门-源电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 在VGS=10V时的导通电阻(mΩ):1000
- 漏极电流(ID):4A
- 技术:SJ_Deep-Trench
- 封装:TO220

领域和模块应用:

应用领域和模块示例:
1. 小功率电源模块:由于VBM165R04SE的低漏极电流和较高的导通电阻,适用于小功率电源模块的设计,如家用电源适配器、手机充电器等。
2. 电动工具控制:在一些需要较低功率但稳定可靠的电动工具控制系统中,VBM165R04SE可以作为功率开关模块,例如手持电钻、电动剃须刀等。
3. 工业自动化传感器:对于需要对传感器进行电力驱动的工业自动化应用,VBM165R04SE可以提供稳定的功率转换,确保传感器的准确性和可靠性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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