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VBL1607V3 产品详细

产品简介:

VBL1607V3是一款单路N沟道MOSFET,适用于中高功率功率控制和开关应用。具有60V的最大漏极-源极电压(VDS)、140A的最大漏极电流(ID)和较低的漏极-源极电阻(RDS(on))。采用沟道技术制造,封装为TO263,适用于中高功率电子设备的功率开关和控制模块。

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产品参数:

产品型号: VBL1607V3
品牌: VBsemi
参数:
- MOSFET类型: 单路N沟道
- 最大漏极-源极电压(VDS): 60V
- 最大栅极-源极电压(VGS): ±20V
- 阈值电压(Vth): 3V
- 在VGS=4.5V时的漏极-源极电阻(RDS(on)): 33mΩ
- 在VGS=10V时的漏极-源极电阻(RDS(on)): 5mΩ
- 最大漏极电流(ID): 140A
- 技术: 沟道技术(Trench)
- 封装: TO263

领域和模块应用:

举例说明:
1. **电动汽车电机驱动**:VBL1607V3可用于设计电动汽车电机驱动系统中的功率开关器件,实现对电动车辆的高效能耗管理和动力输出控制。其较高的漏极电流和低漏极电阻可满足电动汽车在高速行驶和爬坡时的功率需求。

2. **工业变频器**:在工业变频器中,VBL1607V3可用作功率开关器件,实现对电机的调速控制和频率调节。其高漏极电流和较低的漏极电阻特性可提高变频器的效率和稳定性。

3. **UPS电源系统**:在UPS(不间断电源)电源系统中,VBL1607V3可用于设计功率开关模块,确保电力供应的稳定性和可靠性。其高功率输出和稳定的特性可满足UPS系统对电力输出的要求。

4. **电源模块**:在各种电源模块中,VBL1607V3可用作功率开关器件,实现对电子设备的稳定供电。其高功率输出和低漏极电阻使其成为各种电源模块中的理想选择,提高设备的运行效率和可靠性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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