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VBI165R04 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBsemi的VBI165R04是一款Single N场效应管,采用Plannar技术制造。具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS)和3.5V的阈值电压(Vth)。该器件的最大漏极-源极电阻(RDS(on))为2500mΩ,最大漏极电流(ID)为4A。封装形式为SOT89。

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产品参数:

详细参数说明:
- 电压参数:漏极-源极电压(VDS)为650V,栅极-源极电压(VGS)为±30V,阈值电压(Vth)为3.5V。
- 电流参数:在VGS=10V时,漏极-源极电阻(RDS(on))为2500mΩ,最大漏极电流(ID)为4A。
- 技术:采用Plannar技术制造。

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:
1. 工业电源模块:由于VBI165R04具有较高的漏极-源极电压和适中的漏极电流,可用于工业电源模块,如直流-直流转换器或逆变器。
2. LED照明控制:其低阈值电压和较高的漏极-源极电压使其适用于LED照明控制模块中的电源开关。
3. 汽车电子系统:在汽车电子系统中,VBI165R04可用于电池管理系统或电动汽车的电动驱动系统中的功率开关模块。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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