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VBE17R08S 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBsemi 的 VBE17R08S 是一款 Single N 型 MOSFET,具有以下特点:
- 品牌:VBsemi
- 封装:TO252
- 技术:SJ_Multi-EPI
- 最大漏极-源极电压(VDS):700V
- 最大栅极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 在 VGS=10V 时的导通电阻:560 mΩ
- 最大漏极电流(ID):8A

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产品参数:

详细参数说明:
- 型号:VBE17R08S
- 产品类型:Single N 型 MOSFET
- 品牌:VBsemi
- 封装类型:TO252
- 技术:SJ_Multi-EPI
- 最大漏极-源极电压(VDS):700V
- 最大栅极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 在 VGS=10V 时的导通电阻:560 mΩ
- 最大漏极电流(ID):8A

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:
1. 电源管理模块:VBE17R08S 的参数使其适用于电源管理模块,如直流-直流转换器(DC-DC 转换器)和直流-交流逆变器。
2. LED 驱动器:在 LED 照明应用中,需要高效的功率开关器件来控制 LED 的亮度,VBE17R08S 可以作为 LED 驱动器中的开关元件。
3. 工业控制系统:由于 VBE17R08S 具有较高的漏极电压和电流能力,适用于工业控制系统中的功率开关模块,如电机驱动器和变频器。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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