型号：SI3477DV-T1-GE3
丝印：VB8338
品牌：VBsemi
参数：
- 频道类型：P沟道
- 额定电压：-30V
- 额定电流：-4.8A
- RDS(ON)：49mΩ @ 10V，54mΩ @ 4.5V
- 门源电压范围：±20V
- 门源阈值电压范围：-1V~-3V
- 封装类型：SOT23-6

应用简介：
SI3477DV-T1-GE3（丝印：VB8338）是VBsemi公司生产的一款P沟道功率MOSFET。以下是详细的参数说明和应用简介：

详细参数说明：
SI3477DV-T1-GE3是一款P沟道功率MOSFET，适用于具有低电压和低功耗的电路。主要参数包括额定电压为-30V，额定电流为-4.8A，RDS(ON)为49mΩ @ 10V，54mΩ @ 4.5V，门源电压范围为±20V，门源阈值电压范围为-1V~-3V，封装类型为SOT23-6。

应用领域：
SI3477DV-T1-GE3（VB8338）适用于多种领域和应用场景，主要用于需要P沟道功率MOSFET的低功耗电路。以下是一些典型的应用领域：

1. 电源管理模块：SI3477DV-T1-GE3可用于电源管理模块中，提供高效的电能转换和稳定的电流输出，改善系统的功耗和效率。
2. 电池管理系统：它适用于电池管理系统中的充放电控制电路，提供高效能和可靠的电池管理。
3. 便携式设备：SI3477DV-T1-GE3适用于便携式设备中的功率管理、电源开关、电池管理等方面。

综上所述，SI3477DV-T1-GE3（VB8338）是一款P沟道功率MOSFET，适用于电源管理模块、电池管理系统和便携式设备等领域模块。它具有低导通电阻和高耐压的特点，适用于需要低功耗和高效能的电路。