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B09N03A-VB一个N沟道TO252封装的MOS管Datasheet参数视频讲解
型号:B09N03A
丝印:VBE1307
品牌:VBsemi
参数:
- 频道类型:N沟道
- 额定电压:30V
- 额定电流:60A
- RDS(ON):10mΩ @ 10V,11mΩ @ 4.5V
- 门源电压范围:±20V
- 门源阈值电压:1.6V
- 封装类型:TO252

应用简介:
B09N03A(丝印:VBE1307)是VBsemi公司生产的一款N沟道功率MOSFET。以下是详细的参数说明和应用简介:

详细参数说明:
B09N03A是一款N沟道功率MOSFET,具有高电流承载能力和低导通电阻。主要参数包括额定电压为30V,额定电流为60A,RDS(ON)为10mΩ @ 10V,11mΩ @ 4.5V,门源电压范围为±20V,门源阈值电压为1.6V,封装类型为TO252。

应用领域:
B09N03A(VBE1307)适用于多种领域和应用场景,主要用于需要高电流承载能力和低导通电阻的电路。以下是一些典型的应用领域:

1. 电源管理模块:B09N03A可用于电源管理模块中,提供高效的电能转换和稳定的电流输出,改善系统的功耗和效率。
2. 电机驱动:它可应用于电机驱动电路中,提供高功率和高效能的电力输出,适用于工业自动化和机械设备中的电机驱动。
3. 电动车辆:B09N03A适用于电动车辆中的电源管理和电机驱动等方面,满足电动车辆对高电流和高功率的要求。

综上所述,B09N03A(VBE1307)是一款N沟道功率MOSFET,适用于电源管理模块、电机驱动和电动车辆等领域模块。它具有高电流承载能力和低导通电阻,适用于需要高功率和高效能的电路。

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